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典型GaN射頻器件的工藝流程

蘇州納維科技有限公司

典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節:外延生長-器件隔離-歐姆接觸(制作源極、漏極)-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

外延生長

采用金屬氧化物化學氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)方式在SiCSi襯底上外延GaN材料。

器件隔離

采用離子注入或者制作臺階(去除掉溝道層)的方式來實現器件隔離。射頻器件之間的隔離是制作射頻電路的基本要求。

歐姆接觸

形成歐姆接觸是指制作源極和漏極的電極。對GaN材料而言,制造歐姆接觸需要在很高的溫度下完成。

氮化物鈍化

在源極和漏極制作完成后,GaN半導體材料需要經過鈍化過程來消除懸掛鍵等界面態。GaN的鈍化過程通常采用SiN(氮化硅)來實現。

柵極制作

SiN鈍化層上開口,然后沉積柵極金屬。至此,基本的場效應晶體管的結構就成型了。

場板制作

柵極制作完成后,繼續沉積額外的幾層金屬和氮化物,來制作場板、互連和電容,此外,也可以保護器件免受外部環境影響。

襯底減薄

襯底厚度減薄至100μm左右,然后對減薄后的襯底背部進行金屬化。

襯底通孔

通孔是指在襯底上表面和下表面之間刻蝕出的短通道,用于降低器件和接地(底部金屬化層)之間的電感。

出處:www.qorvo.com



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